"tory burch sophie wedges " 内存:DDR与DDR2

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78_avatar_small 在線會員 niao44301599 發表於 2011-7-21 22:14 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
DDR2与DDR的区别
  与DDR比拟,DDR2最主要的改进是在内存模块速度雷同的情况下,可以提供相称于DDR内存两倍的带宽。这重要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为比较,在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲,DDR2内存上仍旧只有一个DRAM核心,但是它可以并行存取,在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。
DDR2与DDR的区别示用意
  与双倍速运行的数据缓冲相联合,DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据,比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改良之处在于,它采用FBGA封装方式替换了传统的TSOP方式。
  然而,只管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样,【其实相爱也会分手 ...】(一模 ____一样)记得转,但是我们依然要使用新主板才干搭配DDR2内存,由于DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样,DDR2的针脚数目为240针,而DDR内存为184针;其次,DDR2内存的VDIMM电压为1.8V,也和DDR内存的2.5V不同。
DDR2的定义:
DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(电子装备工程结合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,"tory burch shoes sale        " 让人爱慕的婚礼......,"abercrombie fitch london store        ",它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,固然同是采用了在时钟的回升/降落延同时进行数据传输的基础方法,但DDR2内存却领有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2内存每个时钟可以以4倍外部总线的速度读/写数据,并且可能以内部把持总线4倍的速度运行。
此外,"salvatore ferragamo malaysia        ",因为DDR2标准划定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式,而不同于目前普遍运用的TSOP/TSOP-II封装情势,FBGA封装可以供给了更为良好的电气机能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与将来频率的发展提供了坚实的基本。回忆起DDR的发展过程,从第一代利用到个人电脑的DDR200经由DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术,第一代DDR的发展也走到了技术的极限,已经很难通过惯例措施进步内存的工作速度;跟着Intel最新处置器技术的发展,前端总线对内存带宽的请求是越来越高,占有更高更稳固运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
DDR2与DDR的差别:
在懂得DDR2内存诸多新技术前,先让咱们看一组DDR跟DDR2技巧对照的数据,"tory burch sophie wedges        "
1、延迟问题:
从上表可以看出,在等同核心频率下,DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说,虽然DDR2和DDR一样,都采用了在时钟的上升延和降低延同时进行数据传输的根本方式,但DDR2拥有两倍于DDR的预读取体系命令数据的能力。也就是说,在同样100MHz的工作频率下,DDR的实际频率为200MHz,而DDR2则可以到达400MHz。
这样也就呈现了另一个问题:在平等工作频率的DDR和DDR2内存中,"ed clothing shop        " 岂非是我上辈子欠了你!~,后者的内存延时要慢于前者。举例来说,DDR 200和DDR2-400具备相同的延迟,而后者拥有高一倍的带宽。实际上,DDR2-400和DDR 400存在相同的带宽,它们都是3.2GB/s,但是DDR400的核心工作频率是200MHz,而DDR2-400的核心工作频率是100MHz,也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。
2、封装和发热量:
DDR2内存技术最大的打破点实在不在于用户们所以为的两倍于DDR的传输才能,"bikkemberg tirosegno        ",而是在采取更低发烧量、更低功耗的情形下,DDR2能够取得更快的频率晋升,冲破尺度DDR的400MHZ限度。
DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式,这种封装形式可以很好的工作在200MHz上,当频率更高时,它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容,这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的起因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式,FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。
DDR2内存采用1.8V电压,相对DDR标准的2.5V,下降了不少,从而提供了显明的更小的功耗与更小的发热量,这一点的变更是意思重大的。
DDR2采用的新技术:
除了以上所说的区别外,DDR2还引入了三项新的技术,它们是OCD、ODT和Post CAS。
OCD(Off-Chip Driver):也就是所谓的离线驱动调整,DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调剂上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完全性;通过节制电压来提高信号品质。
ODT:ODT是内建中心的终结电阻器。我们晓得使用DDR SDRAM的主板上面为了避免数据线终端反射信号须要大批的终结电阻。它大大增长了主板的制作成本。实际上,不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的,终结电阻的大小决议了数据线的信号比和反射率,终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低;终结电阻高,则数据线的信噪比高,然而信号反射也会增添。因而主板上的终结电阻并不能十分好的匹配内存模组,还会在必定水平上影响信号品德。DDR2可以依据自已的特色内建适合的终结电阻,这样可以保障最佳的信号波形,"paul smith boxers        "。应用DDR2岂但可以降低主板本钱,还得到了最佳的信号品质,这是DDR不能比较的。
Post CAS:它是为了提高DDR II内存的应用效力而设定的。在Post CAS操作中,CAS信号(读写/命令)能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期,CAS命令可以在附加延迟(Additive Latency)后面坚持有效。本来的tRCD(RAS到CAS和延迟)被AL(Additive Latency)所代替,AL可以在0,1,2,3,4中进行设置。因为CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期,因此ACT和CAS信号永远也不会发生碰撞抵触。
总的来说,DDR2采用了诸多的新技术,改良了DDR的诸多不足,虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足,但信任随着技术的一直提高和完美,这些问题终将得到解决
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